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内存的速度：内存的速度是由每个CPU和内存之间的数据处理所花费的时间来计算的，而总线周期是总线秒。
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内存模块（内存模块）说：内存模块是指一个印刷电路板上镶嵌有多个存储器芯片芯片表面，这通常是一个内存芯片DRAM芯片，但最近的系统设计也用于缓存隐藏芯片嵌入在存储器模块的存储器模块是安装在主板的PC上特殊槽（槽）的模块嵌入DRAM芯片（芯片）和个人数字芯片（芯片）的能力是在内存模块的设计决策的主要因素。
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SIMM（单列直插式内存模块）：董事会与许多不同的内存芯片焊接在板上，可以分为以下2种类型：
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该72pin单面内存模块：72脚是用来支持32位的数据处理。
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对30PIN单面内存模块：30脚是用来支持8位的数据处理。
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DIMM（双列直插存储器模块）：（168pin）是用来支持64位或更大的公共汽车，只有3.3伏的电压，通常用在64位桌面计算机或服务器。
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RIMM：RIMM模块是下一代存储器模块的主要规格。这是1999由英特尔支持的内存模块，其带宽为1.6gbyte /秒高。
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SO-DIMM（小外形双列内存模组）（144pin）：这是一个改进的DIMM模块，它比一般的DIMM模块，并应用于笔记本电脑、列表机、传真机、或各种终端。
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锁相环：一种锁相环，用来统一时间脉冲信号的积分，使存储器能够正确地存取数据。
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Rambus内存模块（184pin）：使用直接的RDRAM内存模块叫做RIMM模块，具有184pin脚，和数据的输出方式是串行的，即从现有的DIMM模块168pin输出结构完全不同。
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6层和4层（6层与4层）：是指印制电路板用6层或4层的玻璃纤维印制电路板，通常SDRAM将使用6层，虽然干扰会增加PCB的成本却可以避免噪音，和4层可以降低PCB成本，但效率较低。
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寄存器：是缓冲器的意思，它的功能是能够实现高速的同步。
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SPD：用于串行存在检测缩写，它是在EEPROM中烧毁的代码，在过去的BIOS中必须检测内存，但用SPD，不需要做检测动作，而BIOS直接读取SPD来获取相关的内存信息。
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校验和椭圆曲线密码体制的比较：奇偶校验码（奇偶校验码）是广泛用于调试代码（检错码），他们对每个检查点数据添加一个字符（或字节），可以检测出所有奇数（偶数）个字符奇偶校验错误，但比价有一个缺点，当计算机发现一个字节错误，不能判断错误，在这一点，将无法纠正错误。
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Buffer V.S. Unbuffer：DIMM缓冲和缓冲是一种提高定时（定时）。无缓冲DIMM可以设计系统，但它只能支持四个DIMM。如果无缓冲DIMM用于主机板与速度100MHz时，会有不好的影响。有缓冲DIMM可以使用超过四的内存，但如果缓冲区不够快，它会影响到它的性能。换句话说，有缓冲DIMM有放缓的风险，但它可以支持更多的内存使用。
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自充电（自刷新）：DRAM有一个独立的内置充电电路在一定时间内自动充电，通常用于笔记本电脑或便携式电脑。
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预充电时间（潜伏期）：通常称为CL。例如，CL = 3，当计算机系统自主记忆读取第一个数据，所需准备时间3外部脉冲时间（系统时钟）。Cl2和CL3的区别只是一个读取数据第一次脉冲，在整个系统的有效性没有显著的影响。
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时钟信号（时钟）：时钟信号用于同步存储器，同步存储器的同步必须与时钟信号同步。
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电子工程设计联合会（JEDEC）：JEDEC主要是由计算机内存模块设计和发明的一个团体联盟。一般工业生产的内存产品大多按JEDEC标准进行评估。
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只读存储器（ROM）是一种：只读存储器只能读取，但不能写入数据，因为这是最常见的。因此，主板的BIOS（基本输入/输出系统的基本输入/输出系统）因为BISO是计算机基本硬件必要设置和外围的低阶通信接口，所以BISO程序记录在ROM中避免随机的数据被清除。
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EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）：一种写数据，即使断电后，可以保持很长一段时间，写数据不需要提高电压，只需写一些句柄，就可以把数据放入内存中。
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EPROM（可擦除可编程ROM）：在一个清晰的紫外线数据可以用来去除内部数据后，它会用诸如燃烧器之类的设备将数据烧录到EPROM中。它的优点是可以反复刻录数据。
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编程只读存储器（PROM）：一个程序存储器可以保存，因为一个只能写数据，所以一旦它被写入没有任何错误，不能改变，不再保存其他信息，只要错误的数据一个内存不能被重新使用恢复。
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掩模ROM：是厂家批量生产，以ROM为原始数据或EPROM为样本，然后大量生产和采样的ROM，这是批量生产ROM的样品，是掩膜ROM，而在掩模中燃烧ROM的信息从未改变。
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随机存取存储器（随机存取存储器）：RAM是可以读写的存储器。当我们向RAM存储器写入数据时，我们也可以从RAM中读取与ROM存储器不同的数据，但RAM必须稳定，功率稳定稳定，因此一旦电源关闭，RAM中的原始数据就会消失。
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动态随机存取存储器（DRAM动态随机存取存储器：DRAM动态随机存取）是存储器的缩写，通常是计算机的主存，它是用来做存储电容的动作，但由于电容本身有漏电的问题，所以存储器在数据存取或继续。
数据将丢失。
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FPM DRAM（快页模式DRAM）：提高DRAM，主要72ipn或30pin模块。FPM将内存分成许多页，从512到数。它的特点是无需等待再读，它可以阅读各种资金。
材料。
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EDO DRAM的访问速度（扩展数据输出内存）：江户是约10%的速度比传统的DRAM，并且比FPM快12到30倍，这是一般的72pin和168pin模块。
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SDRAM：同步DRAM内存体系结构的新技术；它采用时钟芯片中的同步输入和输出。所谓的时钟同步是指同步访问数据存储器的时间脉冲的脉冲cpu.sdram时间节省时间执行的指令和数据的传输，所以电脑可以提高效率。
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DDR是一种更快的同步存储器。DDR SDRAM是168pin的DIMM模块，它比SDRAM更快的传输速率。DDR的设计适用于服务器、工作站和数据传输。
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DDRII（双数据率同步动态随机存取存储器）：DDRII是原来的1999 sldram联盟解散后，现有的研究成果和DDR集成的新标准。DDRII的详细规格尚未确定。
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drdram（Rambus DRAM）是一种主要的记忆：下一代标准，由Rambus公司设计。它的引脚全部连接到一个通用的总线控制器，它不仅可以减少体积，效率还可以增加数据传输。
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RDRAM（Rambus DRAM的：）Rambus公司独立设计完成，它的速度大约是DRAM的10倍以上，虽然有如此强大的性能，但在使用内存控制器需要相当大的变化，所以这种内存主要用于游戏机或专业图形适配器。
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VRAM（视频RAM）：从DRAM的最大区别在于它有两组输出和输入端口，可同时读取和输出数据在同一时间。
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WRAM（Window RAM）：属于显存的改进版本。不同的是，其控制线有一个或二十组输入输出控制器，采用了数据访问方式。
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MDRAM（多银行的RAM）：midram内分为几个不同的小库（银行），这是对矩阵集小单位属数。每个库的速度是高于外部数据互相连接，并将其应用于高速显示卡或加速卡。
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静态随机存储器SRAM（静态随机存取存储器）：SRAM静态随机存取存储器的缩写，它通常是更快和更稳定的比一般的动态随机处理内存处理。所谓静态的意思是，内存中的数据可以被居民没有在任何时间、任何访问。由于这一特点，静态随机处理内存通常用于缓存。
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异步：异步SRAM，这是一个较旧型的SRAM，通常是用在2级缓存的计算机，它是独立于计算机的系统时钟运行时。
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同步SRAM：为了同步SRAM，它的工作脉冲与系统同步。
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SGRAM（同步图形RAM）：SDRAM改造成块，块为单位，分别获取或修改数据的访问，减少内存的数的读写，提高制图控制器。
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高速缓存内存（缓存）：一种高速存储器的设计是为了处理CPU的操作。快取内存使用的颗粒的SRAM进行记忆。连接方式可分为：一是外部连接模式（外部）和内部连接方式（内）外的方式。把内存的主机板，也被称为1级缓存，和内部的方法是把内存的CPU 2级缓存。
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PCMCIA（个人计算机内存卡国际协会）是一个标准的卡扩展接口，主要用于笔记本电脑或其他周边产品，其类型可分为：
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型为3.3mm SRAM、FLASH的厚度，通常利用RAM内存卡和DRAM内存卡打印机最近。
的类型2 5.5mm厚度通常设计为调制解调器接口（调制解调器）的笔记本电脑使用。
该类型的3 10.5mm厚度作为ATA接口连接的硬盘。
类型4：一个小的PCMCIA卡，且大部分数码相机。
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flash：闪存就像是一种存储设备，因为断电时存储在闪存中的数据不会丢失，写入数据必须先删除原始数据，然后再写入新数据，写入数据的缺点太慢。
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这句话的内存模块（备注内存模块）：在存储市场，许多商家会卖的话存储模块，存储模块称为重新标注在标签改变芯片，显示错误的信息提供者，以赚取更多的利润。一般来说，该行业将被标记为相对高的速度（7 6）或无标签的标签，避免购买的产品在这个地区最好的方式是从一个有信誉的供应商购买顶级芯片制造商。
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内存充电（刷新）：主存储器是DRAM的组合，它的电容需要连续充电以保持数据正确。2K和4K刷新有一般的分类，2K的刷新速度比4K快，但2K比4K更耗电。